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当前位置:1kic>UMZ1NT1的资料

UMZ1NT1详细

TRANS AMP COMP DUAL GP SOT363

UMZ1NT1厂商

ON Semiconductor

UMZ1NT1参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):2µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V,功率 - 最大值:250mW,频率 - 跃迁:114MHz,142MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:SOT-363
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